RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link