RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
3177
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link