RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
33
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2941
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link