RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2941
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link