RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1426
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link