RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3125
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBPQ 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link