RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3125
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link