RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
26
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2780
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link