RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2780
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link