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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3226
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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