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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
17.9
写入速度,GB/s
6.8
13.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3226
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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