RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3371
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link