RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3673
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link