RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3673
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link