RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
30
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
21
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3437
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link