RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3437
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link