RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3437
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link