RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
37
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link