RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
37
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link