RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3529
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link