RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
1909
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link