RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3519
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link