RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3519
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link