RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3519
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link