RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
30
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3653
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link