RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3653
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link