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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3498
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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