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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2892
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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