RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2892
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link