RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1807
2339
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link