RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
72
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3147
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905295-015.B00LF 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link