RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
66
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1934
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link