RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3437
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link