RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3437
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link