RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1934
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link