RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2250
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link