RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3317
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link