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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3317
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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