RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3317
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link