RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
66
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1934
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link