RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
40
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2204
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link