RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2204
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link