RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2434
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link