RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
35
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3045
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link