RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3045
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link