RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3935
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link