RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3935
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link