RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
68
Intorno 40% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
68
Velocità di lettura, GB/s
11.1
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
1924
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link