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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
27
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
22
Velocità di lettura, GB/s
13.8
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3122
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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