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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
11.1
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
4173
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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