RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
4173
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link