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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
11.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
2936
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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