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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2936
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
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