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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Comparar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
2154
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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